JMPC10N60BJ Todos los transistores

 

JMPC10N60BJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMPC10N60BJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 142 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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JMPC10N60BJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1044K  jiejie micro
 jmpc10n60bj.pdf pdf_icon

JMPC10N60BJ

JMPC10N60BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 600V, 10A Load SwitchRDS(ON)

 6.1. Size:437K  jiejie micro
 jmpc10n65bj.pdf pdf_icon

JMPC10N60BJ

JMPC10N65BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 650V, 10A Load SwitchRDS(ON)

 9.1. Size:1046K  jiejie micro
 jmpc15n50bj.pdf pdf_icon

JMPC10N60BJ

JMPC15N50BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 500V, 15A Load SwitchRDS(ON)

 9.2. Size:1047K  jiejie micro
 jmpc13n50bj.pdf pdf_icon

JMPC10N60BJ

JMPC13N50BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 500V, 13A Load SwitchRDS(ON)

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