JMPC10N60BJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMPC10N60BJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 142 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMPC10N60BJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMPC10N60BJ даташит

 ..1. Size:1044K  jiejie micro
 jmpc10n60bj.pdf pdf_icon

JMPC10N60BJ

JMPC10N60BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 600V, 10A Load Switch RDS(ON)

 6.1. Size:437K  jiejie micro
 jmpc10n65bj.pdf pdf_icon

JMPC10N60BJ

JMPC10N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 10A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:1046K  jiejie micro
 jmpc15n50bj.pdf pdf_icon

JMPC10N60BJ

JMPC15N50BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 500V, 15A Load Switch RDS(ON)

 9.2. Size:1047K  jiejie micro
 jmpc13n50bj.pdf pdf_icon

JMPC10N60BJ

JMPC13N50BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 500V, 13A Load Switch RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMCL0410AUD, JMH65R030PSFD, JMH65R040ASFD, JMH65R040ASFDQ, JMH65R040PSFD, JMH65R070PCFD, JMH65R070PFFD, JMH65R070PSFD, 2SK3878, JMPC10N65BJ, JMPC12N60BJ, JMPC12N65BJ, JMPC13N50BJ, JMPC15N50BJ, JMPC16N60BJ, JMPC16N65BJ, JMPC18N20BJ