JMPC10N60BJ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMPC10N60BJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 142 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для JMPC10N60BJ
JMPC10N60BJ Datasheet (PDF)
jmpc10n60bj.pdf
JMPC10N60BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 600V, 10A Load Switch RDS(ON)
jmpc10n65bj.pdf
JMPC10N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 10A Load Switch RDS(ON)
jmpc15n50bj.pdf
JMPC15N50BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 500V, 15A Load Switch RDS(ON)
jmpc13n50bj.pdf
JMPC13N50BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 500V, 13A Load Switch RDS(ON)
Другие MOSFET... JMCL0410AUD , JMH65R030PSFD , JMH65R040ASFD , JMH65R040ASFDQ , JMH65R040PSFD , JMH65R070PCFD , JMH65R070PFFD , JMH65R070PSFD , 2SK3878 , JMPC10N65BJ , JMPC12N60BJ , JMPC12N65BJ , JMPC13N50BJ , JMPC15N50BJ , JMPC16N60BJ , JMPC16N65BJ , JMPC18N20BJ .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor











