JMPC18N50BJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMPC18N50BJ 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 258 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm

Encapsulados: TO220

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

JMPC18N50BJ datasheet

..1. Size:1046K jiejie micro
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JMPC18N50BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 500V, 18A Load Switch RDS(ON)

7.1. Size:1257K jiejie micro
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200V, 18A, 113m N-channel Power Planar MOSFET JMPC18N20BJ Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 200 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 18 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 113 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S

9.1. Size:1046K jiejie micro
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