JMPC18N50BJ datasheet, аналоги, параметры транзистора

JMPC18N50BJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMPC18N50BJ 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 258 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: TO220

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для JMPC18N50BJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

JMPC18N50BJ даташит

..1. Size:1046K jiejie micro
jmpc18n50bj.pdf pdf_icon

JMPC18N50BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 500V, 18A Load Switch RDS(ON)

7.1. Size:1257K jiejie micro
jmpc18n20bj.pdf pdf_icon

200V, 18A, 113m N-channel Power Planar MOSFET JMPC18N20BJ Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 200 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 18 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 113 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S

9.1. Size:1046K jiejie micro
jmpc15n50bj.pdf pdf_icon