JMPF10N65BJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMPF10N65BJ 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 136 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm

Encapsulados: TO220F

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JMPF10N65BJ datasheet

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JMPF10N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 10A Load Switch RDS(ON)

6.1. Size:1000K jiejie micro
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JMPF10N60BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 600V, 10A Load Switch RDS(ON)

9.1. Size:393K jiejie micro
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JMPF12N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 12A Load Switch RDS(ON)

9.2. Size:1002K jiejie micro
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JMPF16N60BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 600V, 16A Load Switch RDS(ON)