JMPF10N65BJ datasheet, аналоги, параметры транзистора

JMPF10N65BJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMPF10N65BJ 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 136 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm

Тип корпуса: TO220F

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для JMPF10N65BJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:491K jiejie micro
jmpf10n65bj.pdf pdf_icon

JMPF10N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 10A Load Switch RDS(ON)

6.1. Size:1000K jiejie micro
jmpf10n60bj.pdf pdf_icon

JMPF10N60BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 600V, 10A Load Switch RDS(ON)

9.1. Size:393K jiejie micro
jmpf12n65bj.pdf pdf_icon

JMPF12N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 12A Load Switch RDS(ON)

9.2. Size:1002K jiejie micro
jmpf16n60bj.pdf pdf_icon

JMPF16N60BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 600V, 16A Load Switch RDS(ON)