JMPF16N65BJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMPF16N65BJ 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 224 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.62 Ohm
Encapsulados: TO220F
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Búsqueda de reemplazo de JMPF16N65BJ MOSFET
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JMPF16N65BJ datasheet
jmpf16n65bj.pdf
JMPF16N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 16A Load Switch RDS(ON)
jmpf16n60bj.pdf
JMPF16N60BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 600V, 16A Load Switch RDS(ON)
jmpf10n65bj.pdf
JMPF10N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 10A Load Switch RDS(ON)
jmpf12n65bj.pdf
JMPF12N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 12A Load Switch RDS(ON)
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History: JMPE34N20BJ | JMSH0601BG
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