JMPF16N65BJ Todos los transistores

 

JMPF16N65BJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMPF16N65BJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 62 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 224 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.62 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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JMPF16N65BJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  jiejie micro
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JMPF16N65BJ

JMPF16N65BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 650V, 16A Load SwitchRDS(ON)

 6.1. Size:1002K  jiejie micro
 jmpf16n60bj.pdf pdf_icon

JMPF16N65BJ

JMPF16N60BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 600V, 16A Load SwitchRDS(ON)

 9.1. Size:491K  jiejie micro
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JMPF16N65BJ

JMPF10N65BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 650V, 10A Load SwitchRDS(ON)

 9.2. Size:393K  jiejie micro
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JMPF16N65BJ

JMPF12N65BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 650V, 12A Load SwitchRDS(ON)

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