JMPF16N65BJ - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMPF16N65BJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.62 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для JMPF16N65BJ
JMPF16N65BJ технические параметры
jmpf16n65bj.pdf
JMPF16N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 16A Load Switch RDS(ON)
jmpf16n60bj.pdf
JMPF16N60BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 600V, 16A Load Switch RDS(ON)
jmpf10n65bj.pdf
JMPF10N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 10A Load Switch RDS(ON)
jmpf12n65bj.pdf
JMPF12N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 12A Load Switch RDS(ON)
Другие MOSFET... JMPE34N20BJ , JMPF10N60BJ , JMPF10N65BJ , JMPF12N60BJ , JMPF12N65BJ , JMPF13N50BJ , JMPF15N50BJ , JMPF16N60BJ , IRFZ48N , JMPF18N50BJ , JMPK4N60BJ , JMPK4N65BJ , JMPK5N50BJ , JMPK630BJ , JMPK7N65BJ , JMSH1001AE7 , JMSH1001AE7Q .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent










