JMPF16N65BJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMPF16N65BJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.62 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMPF16N65BJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMPF16N65BJ даташит

 ..1. Size:381K  jiejie micro
 jmpf16n65bj.pdf pdf_icon

JMPF16N65BJ

JMPF16N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 16A Load Switch RDS(ON)

 6.1. Size:1002K  jiejie micro
 jmpf16n60bj.pdf pdf_icon

JMPF16N65BJ

JMPF16N60BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 600V, 16A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:491K  jiejie micro
 jmpf10n65bj.pdf pdf_icon

JMPF16N65BJ

JMPF10N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 10A Load Switch RDS(ON)

 9.2. Size:393K  jiejie micro
 jmpf12n65bj.pdf pdf_icon

JMPF16N65BJ

JMPF12N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 12A Load Switch RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMPE34N20BJ, JMPF10N60BJ, JMPF10N65BJ, JMPF12N60BJ, JMPF12N65BJ, JMPF13N50BJ, JMPF15N50BJ, JMPF16N60BJ, IRFZ48N, JMPF18N50BJ, JMPK4N60BJ, JMPK4N65BJ, JMPK5N50BJ, JMPK630BJ, JMPK7N65BJ, JMSH1001AE7, JMSH1001AE7Q