JMPK4N60BJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMPK4N60BJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.52 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de JMPK4N60BJ MOSFET
JMPK4N60BJ Datasheet (PDF)
jmpk4n60bj.pdf
JMPK4N60BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 600V, 4A Load SwitchRDS(ON)
jmpk4n65bj.pdf
JMPK4N65BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 650V, 4A Load SwitchRDS(ON)
Otros transistores... JMPF10N65BJ , JMPF12N60BJ , JMPF12N65BJ , JMPF13N50BJ , JMPF15N50BJ , JMPF16N60BJ , JMPF16N65BJ , JMPF18N50BJ , IRF1405 , JMPK4N65BJ , JMPK5N50BJ , JMPK630BJ , JMPK7N65BJ , JMSH1001AE7 , JMSH1001AE7Q , JMSH1001ATL , JMSH1001ATLQ .
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