JMPK4N65BJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMPK4N65BJ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.64 Ohm

Encapsulados: TO252

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JMPK4N65BJ datasheet

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JMPK4N65BJ

JMPK4N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 4A Load Switch RDS(ON)

 7.1. Size:1066K  jiejie micro
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JMPK4N65BJ

JMPK4N60BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 600V, 4A Load Switch RDS(ON)

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