JMPK4N65BJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMPK4N65BJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.64 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMPK4N65BJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMPK4N65BJ даташит

 ..1. Size:987K  jiejie micro
 jmpk4n65bj.pdf pdf_icon

JMPK4N65BJ

JMPK4N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 4A Load Switch RDS(ON)

 7.1. Size:1066K  jiejie micro
 jmpk4n60bj.pdf pdf_icon

JMPK4N65BJ

JMPK4N60BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 600V, 4A Load Switch RDS(ON)

Другие IGBT... JMPF12N60BJ, JMPF12N65BJ, JMPF13N50BJ, JMPF15N50BJ, JMPF16N60BJ, JMPF16N65BJ, JMPF18N50BJ, JMPK4N60BJ, IRLB3034, JMPK5N50BJ, JMPK630BJ, JMPK7N65BJ, JMSH1001AE7, JMSH1001AE7Q, JMSH1001ATL, JMSH1001ATLQ, JMSH1001BTL