JMPK7N65BJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMPK7N65BJ 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm
Encapsulados: TO252
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de JMPK7N65BJ MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
JMPK7N65BJ datasheet
jmpk7n65bj.pdf
JMPK7N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 7A Load Switch RDS(ON)
Otros transistores... JMPF15N50BJ, JMPF16N60BJ, JMPF16N65BJ, JMPF18N50BJ, JMPK4N60BJ, JMPK4N65BJ, JMPK5N50BJ, JMPK630BJ, AON7403, JMSH1001AE7, JMSH1001AE7Q, JMSH1001ATL, JMSH1001ATLQ, JMSH1001BTL, JMSH1001MTL, JMSH1001NC, JMSH1001NE
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CS65N25AKR | AOL1718 | BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q
Popular searches
irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor
