JMSH1001AE7 Todos los transistores

 

JMSH1001AE7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH1001AE7
   Código: SH1001A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 290 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 155 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2091 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263-7L
 

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JMSH1001AE7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  jiejie micro
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JMSH1001AE7

JMSH1001AE7100V 1.6m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 290 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.6 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial

 0.1. Size:350K  jiejie micro
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JMSH1001AE7

JMSH1001AE7Q100V 1.6m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultralow ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 350 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.6 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applica

 5.1. Size:622K  jiejie micro
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JMSH1001AE7

JMSH1001ATLQ100V 1.3mW TOLL N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 479 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.3 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applicat

 5.2. Size:325K  jiejie micro
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JMSH1001AE7

JMSH1001ATL100V 1.3m TOLL N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 411 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.3 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Indust

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