JMSH1001BTL Todos los transistores

 

JMSH1001BTL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH1001BTL
   Código: SH1001B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 326 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 300 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 102 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1512 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: TOLL
 

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JMSH1001BTL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:327K  jiejie micro
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JMSH1001BTL

JMSH1001BTL100V 1.7m TOLL N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 300 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.7 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Indus

 6.1. Size:1263K  jiejie micro
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JMSH1001BTL

100V, 467A, 1.0m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1001MTLProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 467 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.0 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementPowerJE10

 6.2. Size:1257K  jiejie micro
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JMSH1001BTL

100V, 312A, 1.7m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1001NTLQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)ParametersValue Unit Low Gate ChargeVDSS 100 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 2.9 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 312 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.7 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Appli

 6.3. Size:1262K  jiejie micro
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JMSH1001BTL

100V, 367A, 1.2m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1001PTLProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 367 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.2 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementPowerJE10

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