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JMSH1001NC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH1001NC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 416 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 353 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2166 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET JMSH1001NC

 

Principales características: JMSH1001NC

 ..1. Size:365K  jiejie micro
 jmsh1001nc jmsh1001ne.pdf pdf_icon

JMSH1001NC

JMSH1001NC JMSH1001NE 100V 1.6m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 353 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.6 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant Applications Motor Driving in Power Tool,

 5.1. Size:1257K  jiejie micro
 jmsh1001ntlq.pdf pdf_icon

JMSH1001NC

100V, 312A, 1.7m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1001NTLQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 100 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 2.9 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 312 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.7 mW AEC-Q101 Qualified Applications Load Switch PWM Appli

 5.2. Size:1183K  jiejie micro
 jmsh1001ntl.pdf pdf_icon

JMSH1001NC

100V, 400A, 1.4m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1001NTL Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 400 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.4 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PowerJE 10

 5.3. Size:1182K  jiejie micro
 jmsh1001ne7.pdf pdf_icon

JMSH1001NC

100V, 300A, 1.4m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1001NE7 Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 300 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.4 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management TO-263 -7L

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