JMSH1001NC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSH1001NC  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 353 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2166 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSH1001NC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1001NC даташит

 ..1. Size:365K  jiejie micro
jmsh1001nc jmsh1001ne.pdfpdf_icon

JMSH1001NC

JMSH1001NC JMSH1001NE 100V 1.6m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 353 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.6 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant Applications Motor Driving in Power Tool,

 5.1. Size:1257K  jiejie micro
jmsh1001ntlq.pdfpdf_icon

JMSH1001NC

100V, 312A, 1.7m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1001NTLQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 100 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 2.9 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 312 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.7 mW AEC-Q101 Qualified Applications Load Switch PWM Appli

 5.2. Size:1183K  jiejie micro
jmsh1001ntl.pdfpdf_icon

JMSH1001NC

100V, 400A, 1.4m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1001NTL Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 400 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.4 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PowerJE 10

 5.3. Size:1182K  jiejie micro
jmsh1001ne7.pdfpdf_icon

JMSH1001NC

100V, 300A, 1.4m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1001NE7 Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 300 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.4 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management TO-263 -7L

Другие IGBT... JMPK630BJ, JMPK7N65BJ, JMSH1001AE7, JMSH1001AE7Q, JMSH1001ATL, JMSH1001ATLQ, JMSH1001BTL, JMSH1001MTL, 60N06, JMSH1001NE, JMSH1001NE7, JMSH1001NS, JMSH1001NTL, JMSH1001NTLQ, JMSH1001PTL, JMSH1513AC, JMSH1513AE