JMSH0704PE Todos los transistores

 

JMSH0704PE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH0704PE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 238 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 171 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1068 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0041 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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JMSH0704PE PDF Specs

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JMSH0704PE

70V, 171A, 3.2m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0704PE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 70 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 171 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V Pb-free plating 3.2 mW Applications Load Switch PWM Application Power Man... See More ⇒

 5.1. Size:1148K  jiejie micro
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JMSH0704PE

70V, 171A, 3.5m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0704PC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 70 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 171 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.5 Pb-free plating mW Applications Load Switch PWM Application Power Manage... See More ⇒

 7.1. Size:1121K  jiejie micro
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JMSH0704PE

70V, 230A, 1.8m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0702PE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 70 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 230 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.8 mW Applications Load Switch PWM Application Power Managem... See More ⇒

 9.1. Size:332K  jiejie micro
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JMSH0704PE

JMSH0402BGQ 40V 2.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Typ. Unit VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th) 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 166 A Pb-free Lead Plating RDS(ON) (@ VGS = 10V) 2.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications PDFN5x6-... See More ⇒

Otros transistores... JMH65R110PPLNFD , JMSH040SAG , JMSH040SAGQ , JMSH040SPG , JMSH040SPGQ , JMSH040SPTSQ , JMSH0702PE , JMSH0704PC , IRFP260 , JMSH0801PE , JMSH0801PTL , JMSH0802MC , JMSH0802ME , JMSH0802MTL , JMSH0802PE , JMSH0802PTL , JMSH1101PC .

 

 
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