Справочник MOSFET. JMSH0704PE

 

JMSH0704PE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSH0704PE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 238 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 171 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1068 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для JMSH0704PE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0704PE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1121K  jiejie micro
jmsh0704pe.pdfpdf_icon

JMSH0704PE

70V, 171A, 3.2m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0704PEProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TESTEDVDSS70 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V)171 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V Pb-free plating 3.2 mWApplications Load Switch PWM Application Power Man

 5.1. Size:1148K  jiejie micro
jmsh0704pc.pdfpdf_icon

JMSH0704PE

70V, 171A, 3.5m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0704PCProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TESTEDVDSS 70 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 171 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.5 Pb-free plating mWApplications Load Switch PWM Application Power Manage

 7.1. Size:1121K  jiejie micro
jmsh0702pe.pdfpdf_icon

JMSH0704PE

70V, 230A, 1.8m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0702PEProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TESTEDVDSS 70 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 230 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.8 mWApplications Load Switch PWM Application Power Managem

 9.1. Size:332K  jiejie micro
jmsh0402bgq.pdfpdf_icon

JMSH0704PE

JMSH0402BGQ40V 2.0m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct Summary Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Typ. Unit VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 166 A Pb-free Lead Plating RDS(ON) (@ VGS = 10V)2.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications PDFN5x6-

Другие MOSFET... JMH65R110PPLNFD , JMSH040SAG , JMSH040SAGQ , JMSH040SPG , JMSH040SPGQ , JMSH040SPTSQ , JMSH0702PE , JMSH0704PC , 8205A , JMSH0801PE , JMSH0801PTL , JMSH0802MC , JMSH0802ME , JMSH0802MTL , JMSH0802PE , JMSH0802PTL , JMSH1101PC .

 

 
Back to Top

 


 
.