JMSH0802PE Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSH0802PE  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 263 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3392 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm

Encapsulados: TO263

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de JMSH0802PE MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JMSH0802PE datasheet

 ..1. Size:1252K  jiejie micro
 jmsh0802pe.pdf pdf_icon

JMSH0802PE

80V, 263A, 1.6m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0802PE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 263 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.6 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management TO-263 -3L S

 5.1. Size:1261K  jiejie micro
 jmsh0802ptl.pdf pdf_icon

JMSH0802PE

80V, 333A, 1.3m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0802PTL Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 333 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.3 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PowerJE 10x1

 6.1. Size:1271K  jiejie micro
 jmsh0802mc.pdf pdf_icon

JMSH0802PE

80V, 249A, 2.0m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0802MC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 249 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.0 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-22

 6.2. Size:1609K  jiejie micro
 jmsh0802me.pdf pdf_icon

JMSH0802PE

80V, 254A, 1.8m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0802ME Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 254 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.8 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-2

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMSH0702PE, JMSH0704PC, JMSH0704PE, JMSH0801PE, JMSH0801PTL, JMSH0802MC, JMSH0802ME, JMSH0802MTL, AON6380, JMSH0802PTL, JMSH1101PC, JMSH1101PE, JMSH1101PE7, JMSH1101PTL, JMSH1102QC, JMSH1102QE, JMSH1102QS