JMSH0802PE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSH0802PE  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 263 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3392 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSH0802PE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0802PE даташит

 ..1. Size:1252K  jiejie micro
 jmsh0802pe.pdf pdf_icon

JMSH0802PE

80V, 263A, 1.6m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0802PE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 263 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.6 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management TO-263 -3L S

 5.1. Size:1261K  jiejie micro
 jmsh0802ptl.pdf pdf_icon

JMSH0802PE

80V, 333A, 1.3m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0802PTL Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 333 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.3 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PowerJE 10x1

 6.1. Size:1271K  jiejie micro
 jmsh0802mc.pdf pdf_icon

JMSH0802PE

80V, 249A, 2.0m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0802MC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 249 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.0 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-22

 6.2. Size:1609K  jiejie micro
 jmsh0802me.pdf pdf_icon

JMSH0802PE

80V, 254A, 1.8m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0802ME Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 254 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.8 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMSH0702PE, JMSH0704PC, JMSH0704PE, JMSH0801PE, JMSH0801PTL, JMSH0802MC, JMSH0802ME, JMSH0802MTL, AON6380, JMSH0802PTL, JMSH1101PC, JMSH1101PE, JMSH1101PE7, JMSH1101PTL, JMSH1102QC, JMSH1102QE, JMSH1102QS