Справочник MOSFET. JMSH0802PE

 

JMSH0802PE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSH0802PE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 263 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3392 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для JMSH0802PE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0802PE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1252K  jiejie micro
 jmsh0802pe.pdf pdf_icon

JMSH0802PE

80V, 263A, 1.6m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0802PEProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 80 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 263 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.6 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementTO-263 -3L S

 5.1. Size:1261K  jiejie micro
 jmsh0802ptl.pdf pdf_icon

JMSH0802PE

80V, 333A, 1.3m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0802PTLProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 80 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 333 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.3 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementPowerJE10x1

 6.1. Size:1271K  jiejie micro
 jmsh0802mc.pdf pdf_icon

JMSH0802PE

80V, 249A, 2.0m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0802MCProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 80 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 249 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.0 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-22

 6.2. Size:1609K  jiejie micro
 jmsh0802me.pdf pdf_icon

JMSH0802PE

80V, 254A, 1.8m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0802MEProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 80 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 254 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.8 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSH0702PE , JMSH0704PC , JMSH0704PE , JMSH0801PE , JMSH0801PTL , JMSH0802MC , JMSH0802ME , JMSH0802MTL , RFP50N06 , JMSH0802PTL , JMSH1101PC , JMSH1101PE , JMSH1101PE7 , JMSH1101PTL , JMSH1102QC , JMSH1102QE , JMSH1102QS .

 

 
Back to Top

 


 
.