JMSH1101PTL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSH1101PTL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 110 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 256 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1591 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm

Encapsulados: TOLL

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de JMSH1101PTL MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JMSH1101PTL datasheet

 ..1. Size:1266K  jiejie micro
 jmsh1101ptl.pdf pdf_icon

JMSH1101PTL

110V, 256A, 1.6m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1101PTL Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 256 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.6 mW Applications Load Switch PWM Application Power Ma

 5.1. Size:1180K  jiejie micro
 jmsh1101pe7.pdf pdf_icon

JMSH1101PTL

110V, 303A, 1.3m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1101PE7 Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 303 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.3 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management Schematic D

 5.2. Size:1254K  jiejie micro
 jmsh1101pc.pdf pdf_icon

JMSH1101PTL

110V, 166A, 3.6m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1101PC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 166 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.6 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO

 5.3. Size:1252K  jiejie micro
 jmsh1101pe.pdf pdf_icon

JMSH1101PTL

110V, 294A, 2.0m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1101PE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 110 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 294 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.0 mW Applications Load Switch PWM Application Power Mana

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMSH0802MC, JMSH0802ME, JMSH0802MTL, JMSH0802PE, JMSH0802PTL, JMSH1101PC, JMSH1101PE, JMSH1101PE7, RFP50N06, JMSH1102QC, JMSH1102QE, JMSH1102QS, JMSH1102TC, JMSH1102TE, JMSH1102YC, JMSH1102YE, JMSH1103PE