Справочник MOSFET. JMSH1101PTL

 

JMSH1101PTL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSH1101PTL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 256 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1591 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
   Тип корпуса: TOLL
 

 Аналог (замена) для JMSH1101PTL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1101PTL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1266K  jiejie micro
 jmsh1101ptl.pdf pdf_icon

JMSH1101PTL

110V, 256A, 1.6m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1101PTLProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 110 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 256 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.6 mWApplications Load Switch PWM Application Power Ma

 5.1. Size:1180K  jiejie micro
 jmsh1101pe7.pdf pdf_icon

JMSH1101PTL

110V, 303A, 1.3m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1101PE7Product SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 110 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 303 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.3 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementSchematic D

 5.2. Size:1254K  jiejie micro
 jmsh1101pc.pdf pdf_icon

JMSH1101PTL

110V, 166A, 3.6m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1101PCProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 110 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 166 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.6 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO

 5.3. Size:1252K  jiejie micro
 jmsh1101pe.pdf pdf_icon

JMSH1101PTL

110V, 294A, 2.0m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1101PEProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TESTEDVDSS 110 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 294 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.0 mWApplications Load Switch PWM Application Power Mana

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSH0802MC , JMSH0802ME , JMSH0802MTL , JMSH0802PE , JMSH0802PTL , JMSH1101PC , JMSH1101PE , JMSH1101PE7 , IRLZ44N , JMSH1102QC , JMSH1102QE , JMSH1102QS , JMSH1102TC , JMSH1102TE , JMSH1102YC , JMSH1102YE , JMSH1103PE .

 

 
Back to Top

 


 
.