JMSH1102TE Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSH1102TE  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 110 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 199 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1479 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm

Encapsulados: TO263

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de JMSH1102TE MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JMSH1102TE datasheet

 ..1. Size:1231K  jiejie micro
jmsh1102te.pdf pdf_icon

JMSH1102TE

110V, 199A, 2.3m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1102TE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 110 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 199 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.3 mW Applications Load Switch PWM Application Power Man

 5.1. Size:1249K  jiejie micro
jmsh1102tc.pdf pdf_icon

JMSH1102TE

110V, 158A, 2.7m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1102TC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 158 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.7 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO

 6.1. Size:1262K  jiejie micro
jmsh1102qc.pdf pdf_icon

JMSH1102TE

110V, 176A, 2.5m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1102QC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 176 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.5 mW Applications Load Switch PWM Application Power Man

 6.2. Size:1236K  jiejie micro
jmsh1102qe.pdf pdf_icon

JMSH1102TE

110V, 220A, 2.2m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1102QE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 110 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 220 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.2 mW Applications Load Switch PWM Application Power Man

Otros transistores... JMSH1101PC, JMSH1101PE, JMSH1101PE7, JMSH1101PTL, JMSH1102QC, JMSH1102QE, JMSH1102QS, JMSH1102TC, AON7410, JMSH1102YC, JMSH1102YE, JMSH1103PE, JMSH1103TC, JMSH1103TE, JMSH1202PTL, JMSH1507AC, JMSH1507AE