JMSH1102TE Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMSH1102TE 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 110 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 199 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1479 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm
Encapsulados: TO263
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Búsqueda de reemplazo de JMSH1102TE MOSFET
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JMSH1102TE datasheet
jmsh1102te.pdf
110V, 199A, 2.3m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1102TE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 110 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 199 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.3 mW Applications Load Switch PWM Application Power Man
jmsh1102tc.pdf
110V, 158A, 2.7m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1102TC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 158 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.7 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO
jmsh1102qc.pdf
110V, 176A, 2.5m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1102QC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 176 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.5 mW Applications Load Switch PWM Application Power Man
jmsh1102qe.pdf
110V, 220A, 2.2m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1102QE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 110 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 220 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.2 mW Applications Load Switch PWM Application Power Man
Otros transistores... JMSH1101PC, JMSH1101PE, JMSH1101PE7, JMSH1101PTL, JMSH1102QC, JMSH1102QE, JMSH1102QS, JMSH1102TC, AON7410, JMSH1102YC, JMSH1102YE, JMSH1103PE, JMSH1103TC, JMSH1103TE, JMSH1202PTL, JMSH1507AC, JMSH1507AE
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: HGP046NE6AL | JFAM50N50C
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
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