JMSH1102TE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSH1102TE  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 110 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 199 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1479 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSH1102TE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1102TE даташит

 ..1. Size:1231K  jiejie micro
 jmsh1102te.pdf pdf_icon

JMSH1102TE

110V, 199A, 2.3m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1102TE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 110 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 199 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.3 mW Applications Load Switch PWM Application Power Man

 5.1. Size:1249K  jiejie micro
 jmsh1102tc.pdf pdf_icon

JMSH1102TE

110V, 158A, 2.7m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1102TC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 158 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.7 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO

 6.1. Size:1262K  jiejie micro
 jmsh1102qc.pdf pdf_icon

JMSH1102TE

110V, 176A, 2.5m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1102QC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 176 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.5 mW Applications Load Switch PWM Application Power Man

 6.2. Size:1236K  jiejie micro
 jmsh1102qe.pdf pdf_icon

JMSH1102TE

110V, 220A, 2.2m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1102QE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 110 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 220 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.2 mW Applications Load Switch PWM Application Power Man

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMSH1101PC, JMSH1101PE, JMSH1101PE7, JMSH1101PTL, JMSH1102QC, JMSH1102QE, JMSH1102QS, JMSH1102TC, AON7410, JMSH1102YC, JMSH1102YE, JMSH1103PE, JMSH1103TC, JMSH1103TE, JMSH1202PTL, JMSH1507AC, JMSH1507AE