JMSH1102YE Todos los transistores

 

JMSH1102YE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH1102YE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 283.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 181 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 947 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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JMSH1102YE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1250K  jiejie micro
 jmsh1102ye.pdf pdf_icon

JMSH1102YE

110V, 181A, 3.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1102YEProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TESTEDVDSS 110 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 181 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.1 mWApplications Load Switch PWM Application Power Mana

 5.1. Size:1276K  jiejie micro
 jmsh1102yc.pdf pdf_icon

JMSH1102YE

110V, 126A, 3.3m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1102YCProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TESTEDVDSS 110 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 126 A Pb-free platingRDS(ON)_Max(@VGS=10V 3.3 mWApplications Load Switch PWM Application Power Mana

 6.1. Size:1262K  jiejie micro
 jmsh1102qc.pdf pdf_icon

JMSH1102YE

110V, 176A, 2.5m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1102QCProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 110 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 176 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.5 mWApplications Load Switch PWM Application Power Man

 6.2. Size:1236K  jiejie micro
 jmsh1102qe.pdf pdf_icon

JMSH1102YE

110V, 220A, 2.2m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1102QEProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 110 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 220 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.2 mWApplications Load Switch PWM Application Power Man

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History: DHS045N85B

 

 
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