Справочник MOSFET. JMSH1102YE

 

JMSH1102YE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSH1102YE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 283.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 181 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 947 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для JMSH1102YE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1102YE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1250K  jiejie micro
 jmsh1102ye.pdf pdf_icon

JMSH1102YE

110V, 181A, 3.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1102YEProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TESTEDVDSS 110 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 181 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.1 mWApplications Load Switch PWM Application Power Mana

 5.1. Size:1276K  jiejie micro
 jmsh1102yc.pdf pdf_icon

JMSH1102YE

110V, 126A, 3.3m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1102YCProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TESTEDVDSS 110 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 126 A Pb-free platingRDS(ON)_Max(@VGS=10V 3.3 mWApplications Load Switch PWM Application Power Mana

 6.1. Size:1262K  jiejie micro
 jmsh1102qc.pdf pdf_icon

JMSH1102YE

110V, 176A, 2.5m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1102QCProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 110 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 176 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.5 mWApplications Load Switch PWM Application Power Man

 6.2. Size:1236K  jiejie micro
 jmsh1102qe.pdf pdf_icon

JMSH1102YE

110V, 220A, 2.2m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1102QEProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 110 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 220 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.2 mWApplications Load Switch PWM Application Power Man

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSH1101PE7 , JMSH1101PTL , JMSH1102QC , JMSH1102QE , JMSH1102QS , JMSH1102TC , JMSH1102TE , JMSH1102YC , IRFZ24N , JMSH1103PE , JMSH1103TC , JMSH1103TE , JMSH1202PTL , JMSH1507AC , JMSH1507AE , JMSH1507AEQ , JMSH1507PC .

 

 
Back to Top

 


 
.