JMH65R190ACFDQ Todos los transistores

 

JMH65R190ACFDQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMH65R190ACFDQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 189 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de JMH65R190ACFDQ MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

JMH65R190ACFDQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:375K  jiejie micro
 jmh65r190acfdq.pdf pdf_icon

JMH65R190ACFDQ

JMH65R190ACFDQ650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)170 Ultra Fast Body Diode m Eoss@400V5.2 J 100% UIS Tested, 100% Rg Tested

 2.1. Size:345K  jiejie micro
 jmh65r190acfp.pdf pdf_icon

JMH65R190ACFDQ

JMH65R190ACFP650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.3 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)170 100% UIS Tested, 100% Rg Tested m Eoss@400V5.2 J Pb-free Lead Plating H

 3.1. Size:351K  jiejie micro
 jmh65r190ac.pdf pdf_icon

JMH65R190ACFDQ

JMH65R190AC650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)170 100% UIS Tested, 100% Rg Tested m Eoss@400V5.2 J Pb-free Lead Plating Hal

 4.1. Size:332K  jiejie micro
 jmh65r190ae.pdf pdf_icon

JMH65R190ACFDQ

JMH65R190AE650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)170 m Eoss@400V5.2 J Pb-free Lead Plating Halog

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMSH1509AC , JMSH1509AE , JMSH1509AG , JMSH1509AGQ , JMSH1509PC , JMSH1509PE , JMSH1509PG , JMH65R190AC , MMIS60R580P , JMH65R190ACFP , JMH65R190AE , JMH65R190AF , JMH65R190AFFD , JMH65R190APLN , JMH65R190APLNFD , JMH65R190AS , JMH65R190AW .

 

 
Back to Top

 


 
.