JMH65R190ACFDQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMH65R190ACFDQ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 189 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: TO220

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de JMH65R190ACFDQ MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JMH65R190ACFDQ datasheet

 ..1. Size:375K  jiejie micro
 jmh65r190acfdq.pdf pdf_icon

JMH65R190ACFDQ

JMH65R190ACFDQ 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 170 Ultra Fast Body Diode m Eoss@400V 5.2 J 100% UIS Tested, 100% Rg Tested

 2.1. Size:345K  jiejie micro
 jmh65r190acfp.pdf pdf_icon

JMH65R190ACFDQ

JMH65R190ACFP 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.3 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 170 100% UIS Tested, 100% Rg Tested m Eoss@400V 5.2 J Pb-free Lead Plating H

 3.1. Size:351K  jiejie micro
 jmh65r190ac.pdf pdf_icon

JMH65R190ACFDQ

JMH65R190AC 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 170 100% UIS Tested, 100% Rg Tested m Eoss@400V 5.2 J Pb-free Lead Plating Hal

 4.1. Size:332K  jiejie micro
 jmh65r190ae.pdf pdf_icon

JMH65R190ACFDQ

JMH65R190AE 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 170 m Eoss@400V 5.2 J Pb-free Lead Plating Halog

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMSH1509AC, JMSH1509AE, JMSH1509AG, JMSH1509AGQ, JMSH1509PC, JMSH1509PE, JMSH1509PG, JMH65R190AC, MMIS60R580P, JMH65R190ACFP, JMH65R190AE, JMH65R190AF, JMH65R190AFFD, JMH65R190APLN, JMH65R190APLNFD, JMH65R190AS, JMH65R190AW