JMH65R190ACFDQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMH65R190ACFDQ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 189 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMH65R190ACFDQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMH65R190ACFDQ даташит

 ..1. Size:375K  jiejie micro
 jmh65r190acfdq.pdf pdf_icon

JMH65R190ACFDQ

JMH65R190ACFDQ 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 170 Ultra Fast Body Diode m Eoss@400V 5.2 J 100% UIS Tested, 100% Rg Tested

 2.1. Size:345K  jiejie micro
 jmh65r190acfp.pdf pdf_icon

JMH65R190ACFDQ

JMH65R190ACFP 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.3 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 170 100% UIS Tested, 100% Rg Tested m Eoss@400V 5.2 J Pb-free Lead Plating H

 3.1. Size:351K  jiejie micro
 jmh65r190ac.pdf pdf_icon

JMH65R190ACFDQ

JMH65R190AC 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 170 100% UIS Tested, 100% Rg Tested m Eoss@400V 5.2 J Pb-free Lead Plating Hal

 4.1. Size:332K  jiejie micro
 jmh65r190ae.pdf pdf_icon

JMH65R190ACFDQ

JMH65R190AE 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 170 m Eoss@400V 5.2 J Pb-free Lead Plating Halog

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMSH1509AC, JMSH1509AE, JMSH1509AG, JMSH1509AGQ, JMSH1509PC, JMSH1509PE, JMSH1509PG, JMH65R190AC, MMIS60R580P, JMH65R190ACFP, JMH65R190AE, JMH65R190AF, JMH65R190AFFD, JMH65R190APLN, JMH65R190APLNFD, JMH65R190AS, JMH65R190AW