JMSH1003NE Todos los transistores

 

JMSH1003NE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH1003NE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 213 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 877 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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JMSH1003NE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:746K  jiejie micro
jmsh1003nc jmsh1003ne.pdf pdf_icon

JMSH1003NE

JMSH1003NCJMSH1003NE100V 3.0mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 213 A RDS(ON) (@ VGS = 10V)3.0 Halogen-free and RoHS-compliant mWApplications Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics Current Switc

 0.1. Size:1188K  jiejie micro
jmsh1003ne7.pdf pdf_icon

JMSH1003NE

100V, 167A, 3.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1003NE7Product SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 167 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.1 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementTO-263-7L

 5.1. Size:367K  jiejie micro
jmsh1003ng.pdf pdf_icon

JMSH1003NE

JMSH1003NG100V 3.1m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 159 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)3.1 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Telecom., Industrial

 6.1. Size:1257K  jiejie micro
jmsh1003ttl.pdf pdf_icon

JMSH1003NE

100V, 184A, 3.5m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1003TTLProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 184 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.5 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementPowerJE10

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