JMSH1003NE - описание и поиск аналогов

 

Аналоги JMSH1003NE. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSH1003NE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 213 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 877 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для JMSH1003NE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1003NE даташит

 ..1. Size:746K  jiejie micro
jmsh1003nc jmsh1003ne.pdfpdf_icon

JMSH1003NE

JMSH1003NC JMSH1003NE 100V 3.0mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 213 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 3.0 Halogen-free and RoHS-compliant mW Applications Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics Current Switc

 0.1. Size:1188K  jiejie micro
jmsh1003ne7.pdfpdf_icon

JMSH1003NE

100V, 167A, 3.1m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1003NE7 Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 167 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.1 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management TO-263-7L

 5.1. Size:367K  jiejie micro
jmsh1003ng.pdfpdf_icon

JMSH1003NE

JMSH1003NG 100V 3.1m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 159 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 3.1 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Telecom., Industrial

 6.1. Size:1257K  jiejie micro
jmsh1003ttl.pdfpdf_icon

JMSH1003NE

100V, 184A, 3.5m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1003TTL Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 184 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.5 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PowerJE 10

Другие MOSFET... JMSH0401PTSQ , JMSH1003AE7Q , JMSH1003AG , JMSH1003AGQ , JMSH1003AGWQ , JMSH1003ATL , JMSH1003ATLQ , JMSH1003NC , IRFB4115 , JMSH1003NE7 , JMSH1003NG , JMSH1003TC , JMSH1003TE , JMSH1003TF , JMSH1003TTL , JMH65R290ACFP , JMH65R290AE .

 

 
Back to Top

 


 
.