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JMH65R290AE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMH65R290AE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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JMH65R290AE datasheet

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JMH65R290AE

JMH65R290AE 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 12.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 259 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V 4.59 J

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JMH65R290AE

JMH65R290AEFDQ 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 12.0 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 259 m Ultra Fast Body Diode Eoss@400V 4.59 J 100% UIS Tested, 100% Rg Tested

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JMH65R290AE

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JMH65R290AE

JMH65R290AF 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Extremely Low Gate Charge Parameter Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 12.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 260 mW Pb-free Lead Plating Eoss@400V 4.59 mJ Halogen-

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