JMH65R290AEFDQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMH65R290AEFDQ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de JMH65R290AEFDQ MOSFET
JMH65R290AEFDQ Datasheet (PDF)
jmh65r290aefdq.pdf

JMH65R290AEFDQ650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 12.0 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)259 m Ultra Fast Body Diode Eoss@400V4.59 J 100% UIS Tested, 100% Rg Tested
jmh65r290ae.pdf

JMH65R290AE650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 12.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)259 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V4.59 J
jmh65r290apln.pdf

JMH65R290APLN650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 10.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)262 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V4.59 J
jmh65r290af.pdf

JMH65R290AF650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product Summary Extremely Low Gate Charge Parameter Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 12.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 260 mW Pb-free Lead Plating Eoss@400V 4.59 mJ Halogen-
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History: IXTQ150N15P | JMH65R360MF | NTTFS4930NTAG | P0260EIS
History: IXTQ150N15P | JMH65R360MF | NTTFS4930NTAG | P0260EIS



Liste
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