JMH65R290AEFDQ Todos los transistores

 

JMH65R290AEFDQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMH65R290AEFDQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de JMH65R290AEFDQ MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

JMH65R290AEFDQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:326K  jiejie micro
 jmh65r290aefdq.pdf pdf_icon

JMH65R290AEFDQ

JMH65R290AEFDQ650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 12.0 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)259 m Ultra Fast Body Diode Eoss@400V4.59 J 100% UIS Tested, 100% Rg Tested

 3.1. Size:302K  jiejie micro
 jmh65r290ae.pdf pdf_icon

JMH65R290AEFDQ

JMH65R290AE650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 12.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)259 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V4.59 J

 4.1. Size:322K  jiejie micro
 jmh65r290apln.pdf pdf_icon

JMH65R290AEFDQ

JMH65R290APLN650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 10.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)262 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V4.59 J

 4.2. Size:987K  jiejie micro
 jmh65r290af.pdf pdf_icon

JMH65R290AEFDQ

JMH65R290AF650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product Summary Extremely Low Gate Charge Parameter Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 12.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 260 mW Pb-free Lead Plating Eoss@400V 4.59 mJ Halogen-

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMSH1003NE7 , JMSH1003NG , JMSH1003TC , JMSH1003TE , JMSH1003TF , JMSH1003TTL , JMH65R290ACFP , JMH65R290AE , 8205A , JMH65R290AF , JMH65R290APLN , JMH65R360AF , JMH65R360AK , JMH65R360MF , JMH65R360MK , JMH65R360PF , JMH65R360PK .

History: JMH65R290APLN

 

 
Back to Top

 


 
.