DMG8822UTS MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

DMG8822UTS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMG8822UTS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.87 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 841 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: TSSOP8

Búsqueda de reemplazo de DMG8822UTS MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

DMG8822UTS datasheet

..1. Size:150K diodes
dmg8822uts.pdf pdf_icon

DMG8822UTS DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case TSSOP-8L Low Input Capacitance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020

9.1. Size:225K diodes
dmg8880lk3.pdf pdf_icon

DMG8880LK3 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case TO252-3L Low Input Capacitance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Terminal Connections See Diagr

9.2. Size:144K diodes
dmg8880lss.pdf pdf_icon

DMG8880LSS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SO-8 Low Input Capacitance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Low Input/Output Leakage Terminal Connections See Diagram

9.3. Size:266K inchange semiconductor
dmg8880lk3.pdf pdf_icon

isc N-Channel MOSFET Transistor DMG8880LK3 FEATURES Drain Current I = 16.5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 30V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 7.5m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general p

Otros transistores... DMG3414U, DMG3420U, DMG5802LFX, DMG6898LSD, DMG6968U, DMG6968UDM, DMG6968UTS, DMG8601UFG, 2N60, DMG9926UDM, DMG9926USD, DMN2004DMK, DMN2004DWK, DMN2004K, DMN2004TK, DMN2004VK, DMN2004WK

History: CHM1423WGP

🌐 : EN ES РУ

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

DMG8822UTS Todos los transistores