DMG8822UTS - описание и поиск аналогов

 

DMG8822UTS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMG8822UTS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.87 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 841 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для DMG8822UTS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG8822UTS даташит

 ..1. Size:150K  diodes
 dmg8822uts.pdf pdf_icon

DMG8822UTS

DMG8822UTS DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case TSSOP-8L Low Input Capacitance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020

 9.1. Size:225K  diodes
 dmg8880lk3.pdf pdf_icon

DMG8822UTS

DMG8880LK3 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case TO252-3L Low Input Capacitance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Terminal Connections See Diagr

 9.2. Size:144K  diodes
 dmg8880lss.pdf pdf_icon

DMG8822UTS

DMG8880LSS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SO-8 Low Input Capacitance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Low Input/Output Leakage Terminal Connections See Diagram

 9.3. Size:266K  inchange semiconductor
 dmg8880lk3.pdf pdf_icon

DMG8822UTS

isc N-Channel MOSFET Transistor DMG8880LK3 FEATURES Drain Current I = 16.5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 30V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 7.5m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general p

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMG3414U, DMG3420U, DMG5802LFX, DMG6898LSD, DMG6968U, DMG6968UDM, DMG6968UTS, DMG8601UFG, 2N60, DMG9926UDM, DMG9926USD, DMN2004DMK, DMN2004DWK, DMN2004K, DMN2004TK, DMN2004VK, DMN2004WK

 

 

 

 

↑ Back to Top
.