JMSH1018AC Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMSH1018AC 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 152 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 63 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 171 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0198 Ohm
Encapsulados: TO220
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JMSH1018AC datasheet
jmsh1018ac jmsh1018ae.pdf
JMSH1018AC JMSH1018AE 100V 15.5m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.2 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 63 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.5 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Indu
jmsh1018ag.pdf
JMSH1018AG 100V 15.8m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.2 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 33 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 15.8 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial
jmsh1018pk.pdf
JMSH1018PK 100V 15.7mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 40 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.
jmsh1018pg.pdf
JMSH1018PG 100V 15.7mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 55 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: AGM206A | APT8065BVR | SST65R1K2S2E | IXFH74N20P | SSU65R420S2
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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