JMSH1018AC datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: JMSH1018AC 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 152 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 171 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0198 Ohm
Тип корпуса: TO220
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для JMSH1018AC
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JMSH1018AC даташит
jmsh1018ac jmsh1018ae.pdf
JMSH1018AC JMSH1018AE 100V 15.5m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.2 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 63 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.5 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Indu
jmsh1018ag.pdf
JMSH1018AG 100V 15.8m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.2 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 33 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 15.8 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial
jmsh1018pk.pdf
JMSH1018PK 100V 15.7mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 40 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.
jmsh1018pg.pdf
JMSH1018PG 100V 15.7mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 55 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.
Другие IGBT... JMH65R360MF, JMH65R360MK, JMH65R360PF, JMH65R360PK, JMH65R400MFFD, JMH65R400MKFD, JMH65R400MPLNFD, JMH65R430ACFP, SPP20N60C3, JMSH1018AE, JMSH1018AG, JMSH1018PC, JMSH1018PE, JMSH1018PG, JMSH1018PGD, JMSH1018PGQ, JMSH1018PK
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
ac128 datasheet | 2n5496 | 2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a








