JMSH1018PE Todos los transistores

 

JMSH1018PE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH1018PE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 54 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 323 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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JMSH1018PE datasheet

 ..1. Size:1085K  jiejie micro
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JMSH1018PE

JMSH1018PC(E) 100V 15.4mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.1 V 100% UIS Tested, 100% R 100% UIS Tested, 100% Rgg Tested Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 54 A Pb-free Lead Plating Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1

 5.1. Size:637K  jiejie micro
 jmsh1018pk.pdf pdf_icon

JMSH1018PE

JMSH1018PK 100V 15.7mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 40 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.

 5.2. Size:837K  jiejie micro
 jmsh1018pg.pdf pdf_icon

JMSH1018PE

JMSH1018PG 100V 15.7mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 55 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.

 5.3. Size:1228K  jiejie micro
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JMSH1018PE

100V, 8A, 16m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1018PP Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 8 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 16 mW Applications Load Switch PWM Application Power Managemen

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History: AGM30P55D1 | AGM12T08C | IRFZ46NLPBF | BRCS2321MC | IRLI530G | AGM30P35D | AGM20P07EL

 

 
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