JMSH1018PE - аналоги и даташиты транзистора

 

JMSH1018PE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSH1018PE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 323 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для JMSH1018PE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1018PE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1085K  jiejie micro
 jmsh1018pc jmsh1018pe.pdf pdf_icon

JMSH1018PE

JMSH1018PC(E)100V 15.4mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.1 V 100% UIS Tested, 100% R 100% UIS Tested, 100% Rgg Tested Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 54 A Pb-free Lead Plating Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1

 5.1. Size:637K  jiejie micro
 jmsh1018pk.pdf pdf_icon

JMSH1018PE

JMSH1018PK100V 15.7mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 40 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.

 5.2. Size:837K  jiejie micro
 jmsh1018pg.pdf pdf_icon

JMSH1018PE

JMSH1018PG100V 15.7mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 55 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.

 5.3. Size:1228K  jiejie micro
 jmsh1018pp.pdf pdf_icon

JMSH1018PE

100V, 8A, 16m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1018PPProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 8 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 16 mWApplications Load Switch PWM Application Power Managemen

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMH65R400MFFD , JMH65R400MKFD , JMH65R400MPLNFD , JMH65R430ACFP , JMSH1018AC , JMSH1018AE , JMSH1018AG , JMSH1018PC , TK10A60D , JMSH1018PG , JMSH1018PGD , JMSH1018PGQ , JMSH1018PK , JMSH1018PP , JMH65R430AE , JMH65R430AF , JMH65R430AK .

History: FDD45AN06LA0 | STP4N150 | IPT60R022S7 | IRF1018EPBF

 

 
Back to Top

 


 
.