Справочник MOSFET. JMSH1018PE

 

JMSH1018PE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSH1018PE
   Маркировка: SH1018P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 323 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для JMSH1018PE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1018PE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1085K  jiejie micro
 jmsh1018pc jmsh1018pe.pdf pdf_icon

JMSH1018PE

JMSH1018PC(E)100V 15.4mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.1 V 100% UIS Tested, 100% R 100% UIS Tested, 100% Rgg Tested Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 54 A Pb-free Lead Plating Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1

 5.1. Size:637K  jiejie micro
 jmsh1018pk.pdf pdf_icon

JMSH1018PE

JMSH1018PK100V 15.7mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 40 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.

 5.2. Size:837K  jiejie micro
 jmsh1018pg.pdf pdf_icon

JMSH1018PE

JMSH1018PG100V 15.7mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 55 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.

 5.3. Size:1228K  jiejie micro
 jmsh1018pp.pdf pdf_icon

JMSH1018PE

100V, 8A, 16m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1018PPProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 8 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 16 mWApplications Load Switch PWM Application Power Managemen

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.