DMG9926USD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMG9926USD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.9 VQgⓘ - Carga de la puerta: 8.8 nC
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 867 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
DMG9926USD Datasheet (PDF)
dmg9926usd.pdf

DMG9926USDDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case: SOP-8L Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 24m @ VGS = 4.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D 29m @ VGS = 2.5V Terminals Conn
dmg9926udm.pdf

DMG9926UDMDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low Gate Charge Case: SOT-26 Low RDS(ON): Case Material - Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 28m @VGS = 4.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D 32m @
dmg9933usd.pdf

DMG9933USDDUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SO-8 Low Input Capacitance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Input/Output Leakage Terminal Connections: See Di
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History: STL19N65M5 | MSU7N60F | SFW9644
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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