JMPC4N65BJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMPC4N65BJ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 66 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.64 Ohm

Encapsulados: TO220

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JMPC4N65BJ datasheet

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JMPC4N65BJ

JMPC4N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 4A Load Switch RDS(ON)

 7.1. Size:1046K  jiejie micro
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JMPC4N65BJ

JMPC4N60BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 600V, 4A Load Switch RDS(ON)

Otros transistores... JMSH1018PP, JMH65R430AE, JMH65R430AF, JMH65R430AK, JMH65R430AKQ, JMH65R430APLN, JMPC34N20BJ, JMPC4N60BJ, IRFP450, JMPC52N20BJ, JMPC5N50BJ, JMPC630BJ, JMPC7N65BJ, JMPC840BJ, JMPC8N60BJ, JMSH1004AC, JMSH1004AE