DMN2004DMK MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

DMN2004DMK MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMN2004DMK

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.54 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm

Encapsulados: SOT26

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DMN2004DMK datasheet

..1. Size:284K diodes
dmn2004dmk.pdf pdf_icon

DMN2004DMK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case SOT-26 Low On-Resistance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020C Low Input Capacitance Term

6.1. Size:278K diodes
dmn2004dwk.pdf pdf_icon

DMN2004DWK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case SOT-363 Low On-Resistance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020C Low Input Capacitance Ter

7.1. Size:204K diodes
dmn2004vk.pdf pdf_icon

DMN2004VK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case SOT-563 Low On-Resistance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Low Input Capacitance Termin

7.2. Size:189K diodes
dmn2004k.pdf pdf_icon

DMN2004K N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance RDS(ON) = 550(max)m @ VGS = 4.5V ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage TA = 25 C Low Input Capacitance 0.55 @ VGS = 4.5V 630mA Fast Switching Speed 20V Low Input/Output Leakage 0.9 @ VGS = 1.8V 410mA ESD Protec

Otros transistores... DMG6898LSD, DMG6968U, DMG6968UDM, DMG6968UTS, DMG8601UFG, DMG8822UTS, DMG9926UDM, DMG9926USD, 75N75, DMN2004DWK, DMN2004K, DMN2004TK, DMN2004VK, DMN2004WK, DMN2005DLP4K, DMN2005K, DMN2005LP4K

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