Справочник MOSFET. DMN2004DMK

 

DMN2004DMK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN2004DMK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.54 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN2004DMK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  diodes
dmn2004dmk.pdfpdf_icon

DMN2004DMK

DMN2004DMKDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case: SOT-26 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C Low Input Capacitance Term

 6.1. Size:278K  diodes
dmn2004dwk.pdfpdf_icon

DMN2004DMK

DMN2004DWKDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case: SOT-363 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C Low Input Capacitance Ter

 7.1. Size:204K  diodes
dmn2004vk.pdfpdf_icon

DMN2004DMK

DMN2004VKDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case: SOT-563 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Input Capacitance Termin

 7.2. Size:189K  diodes
dmn2004k.pdfpdf_icon

DMN2004DMK

DMN2004KN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance: RDS(ON) = 550(max)m @ VGS = 4.5V ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage TA = 25C Low Input Capacitance 0.55 @ VGS = 4.5V 630mA Fast Switching Speed 20V Low Input/Output Leakage 0.9 @ VGS = 1.8V 410mA ESD Protec

Другие MOSFET... DMG6898LSD , DMG6968U , DMG6968UDM , DMG6968UTS , DMG8601UFG , DMG8822UTS , DMG9926UDM , DMG9926USD , SKD502T , DMN2004DWK , DMN2004K , DMN2004TK , DMN2004VK , DMN2004WK , DMN2005DLP4K , DMN2005K , DMN2005LP4K .

History: STT3470N | R8008ANJ | STP15N80K5 | 2SK3098 | IXFH34N50P3 | CS7N60FA9R | VBZA4042

 

 
Back to Top

 


 
.