DMN2004DMK. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN2004DMK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.54 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: SOT26

Аналог (замена) для DMN2004DMK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN2004DMK даташит

 ..1. Size:284K  diodes
 dmn2004dmk.pdf pdf_icon

DMN2004DMK

DMN2004DMK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case SOT-26 Low On-Resistance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020C Low Input Capacitance Term

 6.1. Size:278K  diodes
 dmn2004dwk.pdf pdf_icon

DMN2004DMK

DMN2004DWK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case SOT-363 Low On-Resistance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020C Low Input Capacitance Ter

 7.1. Size:204K  diodes
 dmn2004vk.pdf pdf_icon

DMN2004DMK

DMN2004VK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case SOT-563 Low On-Resistance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Low Input Capacitance Termin

 7.2. Size:189K  diodes
 dmn2004k.pdf pdf_icon

DMN2004DMK

DMN2004K N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance RDS(ON) = 550(max)m @ VGS = 4.5V ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage TA = 25 C Low Input Capacitance 0.55 @ VGS = 4.5V 630mA Fast Switching Speed 20V Low Input/Output Leakage 0.9 @ VGS = 1.8V 410mA ESD Protec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMG6898LSD, DMG6968U, DMG6968UDM, DMG6968UTS, DMG8601UFG, DMG8822UTS, DMG9926UDM, DMG9926USD, 75N75, DMN2004DWK, DMN2004K, DMN2004TK, DMN2004VK, DMN2004WK, DMN2005DLP4K, DMN2005K, DMN2005LP4K