JMSH1004BG Todos los transistores

 

JMSH1004BG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH1004BG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 112 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 906 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0043 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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JMSH1004BG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:448K  jiejie micro
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JMSH1004BG

JMSH1004BG100V 3.3mW N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 112 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)3.3 mW Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Auto

 0.1. Size:311K  jiejie micro
 jmsh1004bgq.pdf pdf_icon

JMSH1004BG

JMSH1004BGQ100V 3.3m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 138 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)3.3 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Application

 0.2. Size:353K  jiejie micro
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JMSH1004BG

JMSH1004BGWQ100V 3.6m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)2.9 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 152 A Wettable Flanks design support high manufacturability and RDS(ON) (@ VGS = 10V)3.6 mAutomated Optical Inspection (AOI) Pb-free Lead Plat

 5.1. Size:335K  jiejie micro
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JMSH1004BG

JMSH1004BEQ100V 3.5m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultralow ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 160 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)3.5 Pb-free Lead Plating m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applicati

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