JMSH0403BGQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMSH0403BGQ 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 145 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1150 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
Encapsulados: PDFN5X6-8L
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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
JMSH0403BGQ datasheet
jmsh0403bg.pdf
JMSH0403BG 40V 2.2m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 139 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 2.2 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Computing, CE,
jmsh0403pghw.pdf
40V, 131A, 3.0m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0403PGHW Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 131 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.0 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PDFN5X6-8L-H
jmsh0403pgq.pdf
40V, 143A, 2.5m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0403PGQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 40 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 3.1 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 143 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.5 mW AEC-Q101 Qualified Applications Load Switch PWM Applicat
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Liste
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