JMSH0406AKQ Todos los transistores

 

JMSH0406AKQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH0406AKQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 73 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 662 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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JMSH0406AKQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:358K  jiejie micro
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JMSH0406AKQ

JMSH0406AKQ40V 5.0m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 73 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)5.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications T

 4.1. Size:305K  jiejie micro
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JMSH0406AKQ

JMSH0406AK40V 5.0m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 70 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)5.0 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE, I

 5.1. Size:345K  jiejie micro
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JMSH0406AKQ

JMSH0406AG40V 4.1m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Value Unit VDS Low Gate Charge, Qg 40 V VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 86 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)4.1 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE, IE

 5.2. Size:366K  jiejie micro
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JMSH0406AKQ

JMSH0406AU40V 4.3m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 58 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)4.3 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE, IE

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