JMSH0406AU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMSH0406AU
Código: SH0406A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 14.9 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 662 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
Búsqueda de reemplazo de JMSH0406AU MOSFET
JMSH0406AU Datasheet (PDF)
jmsh0406au.pdf
JMSH0406AU40V 4.3m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 58 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)4.3 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE, IE
jmsh0406ak.pdf
JMSH0406AK40V 5.0m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 70 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)5.0 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE, I
jmsh0406ag.pdf
JMSH0406AG40V 4.1m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Value Unit VDS Low Gate Charge, Qg 40 V VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 86 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)4.1 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE, IE
jmsh0406agdq.pdf
JMSH0406AGDQ40V 5.2m Dual N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 68 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)5.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applicatio
Otros transistores... JMSH1002YE , JMSH1002YTL , JMSH0406AG , JMSH0406AGD , JMSH0406AGDQ , JMSH0406AGQ , JMSH0406AK , JMSH0406AKQ , IRFB4110 , JMSH0406PG , JMSH0406PGD , JMSH0406PGDQ , JMSH0406PGQ , JMSH0406PK , JMSH0406PKQ , JMSH1005PC , JMSH1005PE .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JVC502E | JVC113T | JVC105E | JVC103T | JVC103K | JVC085T | JMTY2310A | JMTY11DN10A | JMTV3400A | JVL102Y | JVL102T | JVL102E | JVL101N | JVE103T | JVE102T | JVE102G
Popular searches
2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124