JMSH0406AU - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMSH0406AU
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 662 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
Тип корпуса: PDFN3X3-8L
Аналог (замена) для JMSH0406AU
JMSH0406AU Datasheet (PDF)
jmsh0406au.pdf
JMSH0406AU40V 4.3m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 58 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)4.3 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE, IE
jmsh0406ak.pdf
JMSH0406AK40V 5.0m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 70 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)5.0 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE, I
jmsh0406ag.pdf
JMSH0406AG40V 4.1m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Value Unit VDS Low Gate Charge, Qg 40 V VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 86 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)4.1 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE, IE
jmsh0406agdq.pdf
JMSH0406AGDQ40V 5.2m Dual N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 68 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)5.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applicatio
Другие MOSFET... JMSH1002YE , JMSH1002YTL , JMSH0406AG , JMSH0406AGD , JMSH0406AGDQ , JMSH0406AGQ , JMSH0406AK , JMSH0406AKQ , AON6414A , JMSH0406PG , JMSH0406PGD , JMSH0406PGDQ , JMSH0406PGQ , JMSH0406PK , JMSH0406PKQ , JMSH1005PC , JMSH1005PE .
History: CE3512K2 | JMSH0406PGD | BUZ32H | BUZ310 | STD44N4LF6 | 2SK3836 | BUZ73AH
History: CE3512K2 | JMSH0406PGD | BUZ32H | BUZ310 | STD44N4LF6 | 2SK3836 | BUZ73AH
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124








