JMSH0406AU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSH0406AU  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 662 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L

Аналог (замена) для JMSH0406AU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0406AU даташит

 ..1. Size:366K  jiejie micro
 jmsh0406au.pdf pdf_icon

JMSH0406AU

JMSH0406AU 40V 4.3m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 58 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 4.3 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Computing, CE, IE

 5.1. Size:305K  jiejie micro
 jmsh0406ak.pdf pdf_icon

JMSH0406AU

JMSH0406AK 40V 5.0m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 70 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 5.0 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Computing, CE, I

 5.2. Size:345K  jiejie micro
 jmsh0406ag.pdf pdf_icon

JMSH0406AU

JMSH0406AG 40V 4.1m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Value Unit VDS Low Gate Charge, Qg 40 V VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 86 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 4.1 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Computing, CE, IE

 5.3. Size:390K  jiejie micro
 jmsh0406agdq.pdf pdf_icon

JMSH0406AU

JMSH0406AGDQ 40V 5.2m Dual N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 68 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 5.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applicatio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMSH1002YE, JMSH1002YTL, JMSH0406AG, JMSH0406AGD, JMSH0406AGDQ, JMSH0406AGQ, JMSH0406AK, JMSH0406AKQ, AON6414A, JMSH0406PG, JMSH0406PGD, JMSH0406PGDQ, JMSH0406PGQ, JMSH0406PK, JMSH0406PKQ, JMSH1005PC, JMSH1005PE