JMSH0406PGQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSH0406PGQ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 106 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 753 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

 Búsqueda de reemplazo de JMSH0406PGQ MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JMSH0406PGQ datasheet

 ..1. Size:1229K  jiejie micro
 jmsh0406pgq.pdf pdf_icon

JMSH0406PGQ

40V, 106A, 4.1m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0406PGQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 40 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 3.1 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 106 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.1 mW AEC-Q101 Qualified Applications Load Switch PWM Applica

 4.1. Size:1174K  jiejie micro
 jmsh0406pgdq.pdf pdf_icon

JMSH0406PGQ

40V, 51A, 5.1m Dual N-channel Power SGT MOSFET JMSH0406PGDQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 40 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 2.8 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 51 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.1 mW AEC-Q101 Qualified Applications Load Switch PWM Appli

 4.2. Size:1236K  jiejie micro
 jmsh0406pg.pdf pdf_icon

JMSH0406PGQ

40V, 103A, 3.9m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0406PG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 103 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.9 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S PDFN

 4.3. Size:1304K  jiejie micro
 jmsh0406pgd.pdf pdf_icon

JMSH0406PGQ

40V, 50A, 4.9m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0406PGD Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 50 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.9 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PDFN5X6-8L-D S

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMSH0406AGDQ, JMSH0406AGQ, JMSH0406AK, JMSH0406AKQ, JMSH0406AU, JMSH0406PG, JMSH0406PGD, JMSH0406PGDQ, 8205A, JMSH0406PK, JMSH0406PKQ, JMSH1005PC, JMSH1005PE, JMSH1005PG, JMSH1006AC, JMSH1006AE, JMSH1006AG