JMSH0406PGQ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMSH0406PGQ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 106 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 753 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6-8L
Аналог (замена) для JMSH0406PGQ
JMSH0406PGQ Datasheet (PDF)
jmsh0406pgq.pdf

40V, 106A, 4.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PGQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) ParametersValue Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 3.1 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 106 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.1 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Applica
jmsh0406pgdq.pdf

40V, 51A, 5.1m Dual N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PGDQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 2.8 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 51 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.1 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Appli
jmsh0406pg.pdf

40V, 103A, 3.9m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 103 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.9 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SPDFN
jmsh0406pgd.pdf

40V, 50A, 4.9m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PGDProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 50 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.9 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementPDFN5X6-8L-DS
Другие MOSFET... JMSH0406AGDQ , JMSH0406AGQ , JMSH0406AK , JMSH0406AKQ , JMSH0406AU , JMSH0406PG , JMSH0406PGD , JMSH0406PGDQ , IRF630 , JMSH0406PK , JMSH0406PKQ , JMSH1005PC , JMSH1005PE , JMSH1005PG , JMSH1006AC , JMSH1006AE , JMSH1006AG .
History: FQPF27P06 | HUF76429DF085 | FDD8878
History: FQPF27P06 | HUF76429DF085 | FDD8878



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APG130N06NF | APG130N06D | APG120N12NF | APG120N10NF | APG110N10NF | APG100N10D | AP9P20D | AP9N20Y | AP9N20P | AP9N20D | AP9928A | AP9926A | AP9435A | AP90P03NF | AP90P01D | AP90N06F
Popular searches
2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883