Справочник MOSFET. JMSH0406PGQ

 

JMSH0406PGQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSH0406PGQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 106 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 753 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSH0406PGQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0406PGQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1229K  jiejie micro
jmsh0406pgq.pdfpdf_icon

JMSH0406PGQ

40V, 106A, 4.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PGQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) ParametersValue Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 3.1 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 106 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.1 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Applica

 4.1. Size:1174K  jiejie micro
jmsh0406pgdq.pdfpdf_icon

JMSH0406PGQ

40V, 51A, 5.1m Dual N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PGDQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 2.8 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 51 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.1 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Appli

 4.2. Size:1236K  jiejie micro
jmsh0406pg.pdfpdf_icon

JMSH0406PGQ

40V, 103A, 3.9m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 103 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.9 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SPDFN

 4.3. Size:1304K  jiejie micro
jmsh0406pgd.pdfpdf_icon

JMSH0406PGQ

40V, 50A, 4.9m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PGDProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 50 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.9 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementPDFN5X6-8L-DS

Другие MOSFET... JMSH0406AGDQ , JMSH0406AGQ , JMSH0406AK , JMSH0406AKQ , JMSH0406AU , JMSH0406PG , JMSH0406PGD , JMSH0406PGDQ , 2SK3878 , JMSH0406PK , JMSH0406PKQ , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.