DMN2005DLP4K Todos los transistores

 

DMN2005DLP4K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMN2005DLP4K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: X2DFN13106

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DMN2005DLP4K datasheet

 ..1. Size:178K  diodes
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DMN2005DLP4K

DMN2005DLP4K DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case DFN1310H4-6 Very Low Gate Threshold Voltage, 0.9V Max. Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed

 7.1. Size:162K  diodes
 dmn2005lpk.pdf pdf_icon

DMN2005DLP4K

DMN2005LPK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case DFN1006-3 Low Gate Threshold Voltage Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Low Input/Output Leakage Terminal Connections S

 7.2. Size:239K  diodes
 dmn2005k.pdf pdf_icon

DMN2005DLP4K

DMN2005K N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOT-23 Very Low Gate Threshold Voltage, 0.9V Max. Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020C Low Input/Output Leakage

 7.3. Size:334K  diodes
 dmn2005ufg.pdf pdf_icon

DMN2005DLP4K

DMN2005UFG 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized ID max V(BR)DSS RDS(ON) max TA = 25 C (t

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